Anell de vora de SiC per al processament de galeta

Procés modern de fabricació d'anells de vora de SiC

La fabricació d'anells de vora de SiC és un procés complex i precís. Primer, la pols de matèria primera de SiC es purifica rigorosament per obtenir una alta puresa (>99.999%). Aquesta pols es forma mitjançant premsat isostàtic o en sec. A continuació, es sinteritza a temperatures d'entre 2100 °C i 2400 °C per formar un cos ceràmic dens. Posteriorment, s'acaba amb precisió mitjançant tècniques de mòlta i polit de diamant per aconseguir una rugositat superficial extremadament baixa (Ra < 0.1 µm). Finalment, se sotmet a una neteja rigorosa i a una inspecció de partícules per garantir que compleix els estàndards de neteja de la fabricació de semiconductors.

Usos principals de l'anell de vora de SiC

L'anell de vora de SiC juga un paper vital en els passos crítics de fabricació de les oblies, com ara el gravat i la deposició. La seva funció principal és protegir la vora de l'oblia, garantir la uniformitat del procés a tota la superfície de l'oblia i allargar la vida útil dels components interns de la cambra.

Aquestes són les aplicacions clau:

Protecció de la vora de la oblia: Durant el gravat per plasma, les vores de l'oblia no protegides poden experimentar una velocitat de gravat diferent de la de la zona central. Això porta a paràmetres fora d'especificacions per als xips a la vora de l'oblia (matrices de vora), cosa que redueix significativament el rendiment global. L'anell de vora de SiC actua com una barrera física, suprimint eficaçment l'efecte de plasma de vora per garantir un processament uniforme des del centre fins a la vora de l'oblia.

Control de la distribució del plasma: En els processos basats en plasma, la densitat i la distribució del plasma influeixen directament en el resultat final. La presència de l'anell de vora de SiC modifica les condicions límit del plasma dins de la cambra de reacció, cosa que porta a una distribució del plasma més uniforme a través de la superfície de la làmina. Això és crític per a processos que exigeixen una uniformitat extremadament alta, com ara el gravat en trinxera profunda o el gravat dielèctric multicapa.

Prevenció de la contaminació i longevitat de les peces: Durant certs processos es poden formar subproductes i dipòsits a la vora de l'oblea. Si no es controlen, aquests materials poden contaminar les parets de la cambra, el mandril electrostàtic i altres components cars. L'anell de vora de SiC captura i evita que aquests contaminants s'estengui de manera efectiva, protegint les peces valuoses de la cambra i reduint la freqüència de les neteges de la cambra. Això, al seu torn, augmenta el temps de funcionament de l'equip.

Com a consumible ideal per a equips de gravat per plasma i deposició de pel·lícules primes, el nostre anell de vora de SiC ajuda a eliminar els efectes de vora de les oblies, garantint un gravat i una deposició uniformes des del centre fins a la vora. I protegeix els components interns de la cambra, cosa que redueix l'acumulació de deposició i allarga el temps de funcionament de l'equip. Mentrestant, dissipa la calor de manera eficient i manté la consistència de la temperatura de les oblies durant els processos d'alta potència.

Escollir l'anell de vora de SiC de Semixlab significa triar un rendiment de xip més alt, processos de fabricació més estables i costos de manteniment de l'equip més baixos. Esperem sincerament poder oferir-vos productes personalitzats i assistència tècnica. Agraïm les vostres consultes addicionals.