Recobriment CVD de carbur de silici (SiC).
El recobriment CVD de SiC és bàsicament una capa de carbur de silici dipositada sobre grafit, i s'utilitza àmpliament en eines d'epitàxia on tant la temperatura com la neteja importen. En línies de producció reals, sovint el veureu en sistemes d'AIXTRON, ASM/LPE, Veeco, així com algunes plataformes relacionades amb AMAT. El que el fa útil no és només la resistència a la temperatura, sinó també l'estabilitat general durant llargues tirades. En condicions típiques d'epitàxia (hidrogen, amoníac o fins i tot gasos clorats), el recobriment es manté relativament estable i protegeix el grafit que hi ha a sota. Això ajuda a mantenir el camp tèrmic més consistent i redueix la possibilitat que apareguin partícules durant el creixement.
La majoria de les vegades, el recobriment s'aplica a peces com ara susceptors, portadors d'oblies, anells de grafit o components de mitja lluna. Tots aquests components estan directament implicats en l'escalfament o el posicionament de les oblies, de manera que qualsevol petita inestabilitat pot afectar el rendiment. Per aquest motiu, les peces recobertes sovint es tracten com a consumibles que encara han de ser fiables durant múltiples cicles, especialment en la producció de 4 a 12 polzades.

EN
EN
DA
NL
FI
FR
DE
IT
JA
KO
NO
PL
PT
RO
RU
ES
SV
TL
ID
SK
UK
VI
TH
TR
FA
BE
LA
UZ











